В Центральной окружной прокуратуре Сеула состоялся арест действующего директора китайской компании Changxin Memory Technologies (CXMT) и бывшего работника Samsung Electronics. Им предъявлены обвинения в передаче технологии DRAM с 10-нм узлом от Samsung. Также в рамках расследования были задержаны ещё четыре сотрудника CXMT.
По информации южнокорейского издания The Elec, CXMT привлекла ряд ключевых специалистов из Samsung, которые, как предполагается, передали запатентованные технологии своему новому работодателю. Это стало основой для начала массового производства первой в Китае DRAM, основанной на украденных технологиях.
Среди случаев утечки упоминается, что один из бывших исследователей Samsung передал CXMT сотни документов, описывающих 10-нм технологию, после перехода в китайскую фирму в 2016 году. Прокуратура оценивает финансовые потери для южнокорейских производителей полупроводников в миллиарды долларов.
Кроме того, сообщается, что китайское правительство вложило более $1,7 млрд в CXMT, чтобы снизить зависимость от иностранных поставщиков. Эта утечка технологий произошла на фоне роста цен на оперативную память и дефицита запасов. В прошлом году уже задерживали двух бывших топ-менеджеров Samsung за утечку данных в Китай на сумму $3,2 млрд.