Samsung анонсировала старт массового производства и коммерческой реализации памяти нового поколения HBM4. Она стала первой в мире компанией, которая успешно вывела данную технологию на уровень реального продукта. Главная иновация заключается в применении 4-нм техпроцесса для логического слоя в сочетании с шестым поколением чипов DRAM, выполненных по 10-нм стандартам (1c). Это дало возможность достичь рекордных характеристик без кардинального изменения архитектуры. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, а максимальный показатель — 13 Гбит/с. Пропускная способность составляет 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превосходит возможности HBM3E, что особенно актуально для оптимизации обучения больших языковых моделей ИИ. Несмотря на удвоение количества выводов (с 1024 до 2048), инженерам удалось повысить энергоэффективность на 40%. В настоящий момент Samsung предлагает решения объемом 24 и 36 ГБ, а в будущем планирует вывести на рынок 48 ГБ модулей. Ожидается, что к 2026 году спрос на HBM вырастет более чем в три раза, а с 2027 года компания начнет производство кастомизированных чипов памяти.